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介質(zhì)陶瓷媒介是什么

文章出處:無(wú)錫惠虹電子有限公司人氣:163發(fā)布日期:2018-12-25

如今使用介質(zhì)陶瓷容器,以確保高介電常數(shù)和良好溫度特性的介質(zhì)陶瓷,可以被認(rèn)為是晶粒和其中形成芯,作為鐵電材料的一部分的組成環(huán)境,正常介電物質(zhì)的一部分共存的核、殼結(jié)構(gòu)是有效的,為了形成核、殼結(jié)構(gòu)的正常介電物質(zhì)的一部分,在添加的常規(guī)核、殼結(jié)構(gòu)中,Mg擴(kuò)散相對(duì)較深,因?yàn)镸g分布沒(méi)有特別控制。

因此不能獲得具有足夠高的介電常數(shù)、并具有良好溫度特性的介質(zhì)陶瓷,換句話說(shuō),隨著多層介質(zhì)陶瓷電容器的電容增加,介電層前進(jìn)到薄層,并且所需的質(zhì)量水平非常高,然而傳統(tǒng)的介質(zhì)陶瓷,不能充分改善多層介質(zhì)陶瓷電容器的質(zhì)量。

由于目前提供一種介質(zhì)陶瓷,它具有足夠高的介電常數(shù)、并具有良好的溫度特性,在Mg的情況下,當(dāng)分布層的深度,即擴(kuò)散層的厚度小于5%時(shí),介質(zhì)陶瓷的介電材料部分與晶粒直徑充分相反,并形成室溫下的恒定電介質(zhì)和低至、的低溫特性,另一方面鐵電物質(zhì)的部分變得太小,并且高溫下的溫度特性劣化,并且由于Mg和晶粒的量小,所獲得的效果抑制了鎂的晶粒生長(zhǎng),難以降低結(jié)構(gòu)的均勻性和核顆粒的尺寸。

當(dāng)Mg的分布層包含在距晶界的一定范圍內(nèi)時(shí),Mg適當(dāng)?shù)卮嬖谟诰Я:途ЯVg,并且可以獲得合適的一個(gè),晶體被Mg抑制,晶粒生長(zhǎng)的效果是實(shí)現(xiàn)核心結(jié)構(gòu)的均勻性和粒子的尺寸,此外,如果在本產(chǎn)品中規(guī)定Mg分布的深度,則燒結(jié)容量為介電常數(shù)高,溫度特性良好,因此本產(chǎn)品改善了超大容量疊層介質(zhì)陶瓷電容器的質(zhì)量。


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